牛晓滨，教授，电子科技大学材料与能源学院副院长，电子科技大学量子研究中心副主任。中国科学技术大学本、硕，美国加州大学洛杉矶分校博士，犹他大学博士后。“中国工程前沿杰出青年学者”（2019年）。现任《半导体学报》副主编，中国电子学会半导体科技青年专委会委员。主要从事材料的微尺度结构的生长和性质理论研究及多尺度计算模拟；低维度材料的控制生长、物性表征；低维材料在能源转换、量子信息器件、光电探测领域的应用等。发表论文60余篇，申请专利20余项，获得授权10余项，其中美国专利1项。

王建伟，副研究员，兰州大学学士，中科院半导体研究所博士，美国北卡罗来纳大学博士后。主要采用密度泛函理论等计算方法开展材料性质的理论设计及预测研究，包括半导体缺陷性质（缺陷工程）、范德瓦尔斯异质结的新奇物理特性、催化的微观机理等。担任 2D Materials, Appl.Phys.Lett., Nanotechnology, J.Phys: Conden.Mater, J.Phys. D: Appl.Phys.等国际期刊审稿人。

姬海宁，副教授，电子科技大学本、硕、博，美国阿肯色大学博士后。主要从事磁性物理与磁性材料研究。在国内外期刊发表研究论文50余篇，申请专利10余项，获国防科技发明二等奖1项、四川省科技进步二等奖1项、四川省科技进步三等奖1项。