案例1：家国情怀
在绪论部分，阐述学好《半导体器件物理》的重要性时，跟学生讲现在国内半导体的形式以及美国对中国半导体产业发展的封锁，通过“华为事件”说明其实在集成电路领域，中国人都很吃苦耐劳，也很好学，我们的设计这一块并不比国外差，我们主要差在芯片制造部分，并通过部分例子说明国产芯片和国外芯片的差距，从而引出问题让学生思考，我们作为国内集成电路“未来芯”的骨干，我们能够做一些事情为发展祖国的集成电路做贡献。
案例2：舍得原理
在讲解载流子浓度乘积时，在热平衡状态下，半导体材料和温度都确定时，载流子浓度的乘积将保持恒定，说明如果电子浓度增大，空穴浓度就要减少；相反，空穴浓度增大，电子浓度就要减少。引出舍得原理，有舍才有得。舍弃自己玩乐的时间做提升我们综合素质的事情，比如参加社团提升处理问题的能力、到图书馆看书提升我们的知识面、参加英语角提升我们的英语交流水平、锻炼身体提升我们的身体素质等等，得到的都是对未来发展有益的宝贵财富。
案例3：门槛原理
讲解热电子发射理论时，只有能够越过势垒顶部的电子才能进入另外一边，由此引申出门槛原理。任何事情的发展都是从量变到质变的过程，我们现在学习书本知识，每天辛勤努力的奋斗都是为我们未来做准备。比如考研，必须达到国家规定的分数线，然后复试过了才能成为一名研究生；出国，除了学术成绩外，必须考雅思等；找工作，也必须通过理论考试和面试等，都有门槛。达不到对方的门槛，则达不到自己的目的，更好地发展。所以只有努力，充实自己、提高自己的各项能力，才有足够的资本、有更多的道路供我们选择，实现真正的自由。
案例4：
学习完第二章PN结知识后，布置课外作业，通过查找资料了解PN结二极管的实际应用，以及主要应用了二极管的什么特性，这将有利于同学将书本理论知识和实际应用联系起来，学习了知识的实际应用，才能有更大的收获。
案例5：向陈星弼院士学习，以及学习陈院士最青少年的殷切希望
在讲解MOSFET结构时，引入身边的伟人陈星弼院士，陈院士在VDMOS和LDMOS功率器件领域对中国乃至世界做出了巨大的贡献，被称为“功率器件的领路人” ；另外，给学生们朗读陈院士生前对青少年的寄托，希望大家不要辜负老前辈的期望，好好学习，为祖国发展贡献力量。
案例6：辩证看问题
在学习短沟道效应时，对于MOSFET经典模型情况，阈值电压是一个定值，但是随着沟道长度的缩短，当长度缩短到可以和结深相比拟时，阈值电压将随有效沟道长度的缩短而减小，而且这种趋势随着漏源偏压VDS增大时更加明显。在一定范围内，根据等比例缩小法则，沟道长度减少可以提高集成度，但是如果缩短到和结深可相比拟后，阈值电压降低将导致漏电流变大，因而限制了器件的最小尺寸。从辩证的角度看，任何事情都有利有弊，但是在一定范围内的话可以充分发挥其优势，也不会带来过度影响，否则超过一定限制的话，就会矫枉过正，需要遵从客观规律。
