0552027004《薄膜晶体管原理与技术》教学大纲
课程编号 | 0552027004 | 课程中文名称 | 薄膜晶体管原理与技术 | 学时 | 40 | ||||||
课程性质 | □学位课 ■非学位课 □其他 | 课程英文名称 | The Principle and Technology of Thin Film Transistor | 学分 | 2.0 | ||||||
开课时间 | □春 ■秋 | 适用学科(类别) | 光学工程 | 适用学生 | ■硕士 □博士 | ||||||
先修课程 | 模拟电路、半导体物理 | ||||||||||
开课单位 | 光电科学与工程学院 | ||||||||||
大纲撰写人 | 陈文彬 | 大纲审稿人 | 制(修)定时间 | 2019.9 |
通过本课程教学,使学生了解薄膜的制备工艺技术,掌握薄膜晶体管的基本理论、薄膜晶体管器件结构、制造方法、薄膜晶体管的特性分析方法,具备薄膜晶体管器件电路的设计能力和应用能力。
第1章:绝缘栅场效应管的理论基础(5学时)
1 本章教学内容:(1) 绝缘栅场效应管结构与工作原理(3学时),(2) 绝缘栅场效应管性能表征(2学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解绝缘栅场效应管结构与工作原理,掌握场效应管的I-V特性和性能表征方法。
3 本章教学重点:(1)场效应管的工作原理,(2)场效应管性能表征。
4 本章教学难点:(1)场效应管的I-V特性。
5 讨论:利用MOSFET的标准模型讨论场效应管的I-V特性及特性参数的提取
第2章:薄膜技术(4学时)
1 本章教学内容:(1) 物理气相沉积技术(1学时),(2) 化学气相沉积技术(1学时),(3)图形化工艺技术(2学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生了解薄膜的基本概念,及薄膜的制造工艺技术;理解TFT的基础工艺原理;掌握TFT的基本制造工艺原理、步骤等,能运用这些技术来形成TFT的制造工艺流程。
3 本章教学重点:(1)磁控溅射,(2)PECVD ,(3)光刻。
4 本章教学难点:(1)大面积薄膜制备方法。
5 讨论:大面积薄膜制备的难点及解决方法。
第3章:氢化非晶硅薄膜晶体管(5学时)
1 本章教学内容:(1) 氢化非晶硅薄膜晶体管结构与工作原理(2学时),(2) 氢化非晶硅薄膜晶体管制造技术(2学时),(3) 氢化非晶硅薄膜晶体管特性(1学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解氢化非晶硅薄膜晶体管结构与工作原理,掌握氢化非晶硅薄膜晶体管制造工艺技术与特性。
3 本章教学重点:(1)氢化非晶硅薄膜晶体管制造工艺技术,(2)氢化非晶硅薄膜晶体管特性。
4 本章教学难点:(1)氢化非晶硅的物理基础,(2)氢化非晶硅薄膜晶体管模型。
5 课程设计:利用氢化非晶硅薄膜晶体管的计算机模型练习薄膜晶体管的I-V特性及特性参数的提取。
第4章:低温多晶硅薄膜晶体管(4学时)
1 本章教学内容:(1) 低温多晶硅薄膜晶体管结构与工作原理(1学时),(2) 低温多晶硅薄膜晶体管制造技术(2学时),(3) 低温多晶硅薄膜晶体管特性(1学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解低温多晶硅薄膜晶体管结构与工作原理,掌握低温多晶硅薄膜晶体管制造工艺技术与特性。
3 本章教学重点:(1)低温多晶硅薄膜晶体管制造工艺技术,(2)低温多晶硅薄膜晶体管特性。
4 本章教学难点:(1)低温多晶硅的物理基础,(2)低温多晶硅薄膜晶体管模型。
5 讨论:试讨论在LTPS TFT中怎样控制多晶硅晶粒尺寸和晶界的位置。
第5章:金属氧化物薄膜晶体管(4学时)
1 本章教学内容:(1) 金属氧化物薄膜晶体管工作原理(1学时),(2) 氧化物薄膜晶体管制造工艺技术(2学时),(3) 氧化物薄膜晶体管特性(1学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解氧化物薄膜晶体管结构与工作原理,掌握氧化物薄膜晶体管制造工艺技术与特性。
3 本章教学重点:(1)氧化物薄膜晶体管制造工艺技术,(2)氧化物薄膜晶体管特性。
4 本章教学难点:(1)氧化物半导体的物理基础,(2)氧化物薄膜晶体管模型。
5.讨论:金属氧化物半导体的载流子传输机制
第6章:有机薄膜晶体管(5学时)
1 本章教学内容:(1)有机薄膜晶体管工作原理(2学时),(2)有机薄膜晶体管制造工艺技术(2学时),(3)有机薄膜晶体管特性(1学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解有机薄膜晶体管结构与工作原理,掌握有机薄膜晶体管制造工艺技术与特性。
3 本章教学重点:(1)有机薄膜晶体管制造工艺技术,(2)有机薄膜晶体管特性。
4 本章教学难点:(1)有机半导体的物理基础,(2)有机薄膜晶体管模型。
5.讨论:有机TFT中载流子的注入。
第7章 TFT-LCD显示技术(5学时)
1 本章教学内容:(1) TFT-LCD显示器架构与工作原理(2学时),(2) TFT-LCD显示面板设计技术(3学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解TFT-LCD显示器件结构与工作原理,掌握TFT-LCD显示面板的设计方法。
3 本章教学重点:(1)TFT-LCD显示器件结构与制造工艺技术,(2)TFT-LCD显示面板设计技术。
4 本章教学难点:(1)TFT-LCD的驱动原理。
5 课程设计:设计TFT-LCD显示面板。
第8章 有机发光显示与平板X射线成像(5学时)
1 本章教学内容:(1) AMOLED显示器架构与工作原理(1学时),(2) AMOLED显示面板设计技术(2学时),(3) 平板成像器件结构与工作原理(2学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解AMOLED显示器件、成像器件结构与工作原理,掌握AMOLED显示面板的设计方法。
3 本章教学重点:(1)AMOLED显示器件结构与制造工艺技术,(2)AMOLED显示面板设计技术。
4 本章教学难点:(1)AMOLED的驱动原理,(2)AMOLED的补偿电路原理。
5 课程设计:设计AMOLED的像素驱动电路。
6.讨论: α-Si:H TFT 适用于驱动OLED吗?LTPS TFT具有诸多优势,但是为什么一直没有完全取代α-Si:H TFT显示技术?
第9章 柔性薄膜晶体管技术(3学时)
1 本章教学内容:(1) 柔性基板技术(1学时),(2) 薄膜封装技术(1学时),(3) 柔性TFT的特性,(4)柔性TFT的制造技术(1学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解柔性基板和薄膜封装结构与制造技术,掌握柔性TFT制造工艺技术与特性。
3 本章教学重点:(1)柔性TFT制造工艺技术,(2)柔性TFT的特性。
4 本章教学难点:(1)柔性TFT的特性。
5 讨论:柔性TFT技术的难点及解决方法。
(4)考核要求:
课程考核方式为过程考核。
成绩评定:平时考核50%+期末考核50%。
(5)参考资料:
教材:
《薄膜晶体管原理与技术》,陈文彬编著,自编讲义,2020年。
参考资料:
[1]《薄膜晶体管及其在平板显示中的应用》,Cherie R.Kagan, Paul Andry编著,电子工业出版社,2008年;
[2]《薄膜晶体管阵列制造技术》,谷至华编著,复旦大学出版社出版社,2007年;
[3]《低温多晶硅显示技术》,陈志强编著,科学出版社出版社,2006年;
[4] 《TFT LCD面板的驱动与设计》,戴亚翔编著,清华大学出版社,2008;
[5] 《薄膜晶体管原理及应用》,董承远编著,清华大学出版社,2016;
[6] 《薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模》,雷东编著,电子工业出版社,2016。