文岐业，电子科技大学教授，博士生导师，中国工程物理研究院客座研究员。2005年3月毕业于电子科技大学并留校任教。2010年以来先后入选四川省杰出青年学术技术带头人资助计划，教育部新世纪优秀人才支持计划，电子科技大学校百人计划和四川省学术和技术带头人后备人选。

唐晓莉，博士，教授，长期致力于自旋电子学中磁性存储相关机理、新材料与器件设计的研究。在高性能巨磁电阻单元的设计、制备、材料优化，新型大自旋极化率材料开发，自旋阀存储单元的极化翻转等领域开展了较高水平的研究。先后主持及作为主研承担了总装“金属软磁多层薄膜研究”、自然基金纳米科技基础研究重大研究计划项目“纳米结自旋晶体管研究”、自然基金创新群体“信息薄膜与LTCC集成器件” 等国家、部省级科研项目十余项。

周伟，博士，副教授，2002年至2003年在日本北海道大学电子科学研究所作访问学者，用新的金属有机物源研究和生长发光波长为1.55mm的GaInNAs/GaAs 量子阱激光器。2003年至2004年在香港科技大学电子电机工程系作客座研究员，研究与开发MOCVD生长锑化物材料的变形异质双集结晶体管 (Metamorphic HBT)和变形异质结高迁移场效应晶体管(Metamorphic HEMT)。